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SUD50P10-43L
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
40
35
30
25
20
15
V GS = 10 V thr u 4 V
20
16
12
8
T A = 125 °C
10
5
3 V
4
25 °C
0
2 V
0
- 55 °C
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
0.044
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
7000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
6000
0.042
0.040
0.03 8
0.036
0.034
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
5000
4000
3000
2000
1000
0
C rss
C oss
C iss
0
5
10
15
20
25
30
35
0
10
20
30
40
50
60
70
8 0
10
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
2.3
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
8
I D = 9.2 A
2.0
I D = 9.2 A
6
V DS = 50 V
V DS = 80 V
1.7
1.4
V GS = 10 V, 4.5 V
4
1.1
2
0
0. 8
0.5
0
20
40
60
8 0
100
120
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
Document Number: 73444
S09-1398-Rev. C, 20-Jul-09
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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